规范用词氮化镓
英文翻译gallium nitride
名词定义由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素N化合而成的半导体材料。分子式为GaN。室温下禁带宽度为2.05eV，属直接跃迁型能带结构。
所属学科材料科学技术 > 半导体材料 > 化合物半导体材料
名词审定材料科学技术名词审定委员会
见载刊物《材料科学技术名词》 科学出版社
公布时间2011年